人工智能步入以生成式AI为核心的发展新阶段，AI手机、AI PC、AIoT等终端产品应用需求激增，对封测技术提出了更为严格的要求。
在摩尔定律放缓、芯片先进制程接近物理极限的背景下，先进封装技术成为半导体行业的发展新焦点。
一、等离子处理的核心价值
界面清洁：去除光刻胶残留、氧化物和有机污染物，提升键合/镀层可靠性。
表面活化：引入极性基团（-OH、-NH₂等），增强材料粘附性（如环氧树脂与铜线路）。
纳米级改性：调控表面能（亲水/疏水），优化液态材料（Underfill、胶水）的流动性和填充均匀性。
环保替代：取代传统湿法清洗（酸/碱），减少化学废液，符合RoHS/REACH标准。
二、关键应用场景与解决方案
1. 晶圆级封装（WLP）
TSV（硅通孔）清洗
问题：高深宽比孔内残留光刻胶和氧化物，导致电镀铜空洞。
方案：
气体：O₂/CF₄混合（4:1）刻蚀有机物，H₂还原CuO。
工艺：脉冲等离子体（10kHz）+ 梯度气压（10→50mTorr），确保孔底清洁。
效果：孔内洁净度＞99.9%，电镀填充空洞率＜0.1%。
RDL（再布线层）处理
问题：PI（聚酰亚胺）介质层与铜线路附着力不足。
方案：NH₃等离子体引入-NH₂基团，结合能提升至50mJ/m²。
参数：功率300W，处理时间60s，真空度30mTorr。
2. 2.5D/3D集成
中介层（Interposer）键合
问题：SiO₂表面疏水性导致Underfill填充不充分。
方案：O₂/Ar等离子活化，接触角从80°→5°，填充时间缩短40%。
设备：大气压等离子喷枪（集成于贴片机，在线处理）。
混合键合（Hybrid Bonding）
问题：Cu-Cu键合界面氧化层（CuO）导致电阻升高。
方案：H₂/N₂等离子还原，氧含量从20%→3%，键合强度＞200MPa。
参数：ICP功率400W，压力15mTorr，时间90s。
3. Fan-Out封装
芯片剥离与重置
问题：临时键合胶残留影响芯片转移。
方案：O₂等离子体分解胶层，残留厚度＜10nm，良率提升至99.8%。
